據了解，爆炸的變電廠雖未直接供電予三星的12吋NAND Flash廠，但爆炸點離三星NAND Flash晶圓廠、美光及力成的DRAM封測廠的距離不遠，確實曾一度出現電力閃斷、電壓下降問題，雖然之後已恢復供電，但半導體設備十分敏感，爆炸當時造成電力閃斷及電壓不穩，將對設備造成參數跳機問題，也會影響到記憶體供應，推估此次將影響該廠數千片晶圓產出，三星已著手進行生產線檢查。
工商時報【涂志豪╱台北報導】
三星西安廠是其3D NAND生產重鎮，目前生產主力是32層3D NAND，月產能約5萬片，預計今年將提升至7～10萬片，且技術上將升級投產48層3D NAND晶片。三星3D NAND幾乎沒有外賣，全數用在自有品牌SSD產品，由於今年以來SSD銷售暢旺，三星西安廠此次受影響，將對下半年
SSD供給造成衝擊。
大陸西安市南郊長安區變電站上周六（18日）凌晨疑似因故障發生大爆炸起火意外，雖然該處變電廠並未直接供電給三星位於西安的NAND Flash廠，但爆炸當時造成電力閃斷及電壓不穩，仍對三星晶圓廠設備造成當機問題，預期影響該廠數千片的晶圓產出
。
業界認為，西安變電廠爆炸事件，雖然未立即造成DRAM及NAND Flash供給吃緊，但因為記憶體價格對於反應市場供需及消息變化十分靈敏，所以有機會提前見到漲價效應，尤其三星西安廠導致晶圓損失，將對其固態硬碟（SSD）供貨造成影響，且下半年進入NAND Flash備貨旺季，已有
缺貨問題的NAND Flash價格漲幅將超乎預期。
同時，美光、力成位於西安DRAM封測廠也受到電力閃斷影響，但預期影響幅度相對較小。
三星已將位於韓國華城Fab 16的16奈米2D NAND生產線移轉為20奈米48層3D V-NA
ND生產線；不過，該廠產能已被蘋果包下，因為蘋果即將推出iPhone 7將推出256GB容量版本，即採用三星20奈米48層3D V-NAND晶片。業界預期，三星為了維持SSD市占率及供給量，勢必要調撥韓國廠的產能支援，加快華城Fab 17的產能轉換，這將會導致2D NAND供給量減少，自然導致NAND Flash
市場缺貨問題更為嚴重。
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